| 型号：IPB45N06S4-09 | 类别：FET - 单 | 制造商：Infineon Technologies |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 45A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 9.1 毫欧 @ 45A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 4V @ 34µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 47nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 3785pF @ 25V |
| 功率_最大 | 71W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263-3 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市华斯顿科技有限公司 | 销售部1部0755-83777607/83777708/82799993 |
| 深圳市海虹微电子有限公司 | 赵小姐086-0755-83291010 83678410 |
| 深圳市芯宇恒科技有限公司 | 袁先生0755-85298085 |
| 深圳市芯福林电子科技有限公司 | 张女士0755-82574045 |
| 深圳恒际天威科技有限公司 | 郭086-755-23914055 |
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